منو
سبد شما

ترانزیستور TIP122 دارلینگتون NPN مناسب مدارهای قدرت

ترانزیستور TIP122 ترانزیستور BJT و UJT
ترانزیستور TIP122 دارلینگتون NPN مناسب مدارهای قدرت
114,000ریال
50 یا بیشتر 106,020ریال
200 یا بیشتر 102,600ریال
  • موجودی: 191 و بیشتر در خرید عمده
  • MODEL: TIP122 TRANSISTOR

ترانزیستور TIP122 TRANSISTOR

NPN-DARL+DI 100V,5A,65W Silicon Npn Darlington Transistor +Diode ;Complementary Epitaxial Base Power Linear And Switching, Nf/S-L

ترانزیستور TIP122 TRANSISTOR یک ترانزیستور قدرت از نوع NPN Darlington Power Transistor است که برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویت جریان طراحی شده است. ساختار دارلینگتون (Darlington Configuration) شامل دو ترانزیستور NPN داخلی بوده که منجر به بهره جریان بسیار بالا (High DC Current Gain – hFE) می‌شود و امکان کنترل جریان‌های بالا با جریان بیس بسیار کم را فراهم می‌کند.

ویژگی‌های اصلی ترانزیستور TIP122 TRANSISTOR

  • ساختار Darlington Pair با بهره جریان بالا (High Gain hFE)
  • حداکثر جریان کلکتور (Collector Current – Ic) تا 5A
  • حداکثر ولتاژ کلکتور به امیتر (Vceo) برابر 100V
  • مناسب برای سوئیچینگ بارهای قدرت (Power Switching Applications)
  • پکیج TO-220 با قابلیت نصب هیت‌سینک (Heatsink Mountable)

کاربردهای ترانزیستور TIP122 TRANSISTOR

  • درایو موتورهای DC (DC Motor Driver)
  • کنترل رله و سلونوئید (Relay & Solenoid Driving)
  • سوئیچینگ بارهای القایی و مقاومتی (Inductive & Resistive Loads)
  • مدارهای کنترلی مبتنی بر میکروکنترلر (Microcontroller Interface)
  • مدارات قدرت و منابع تغذیه (Power Supply Circuits)

مشخصات فنی ترانزیستور TIP122 TRANSISTOR

مشخصه مقدار
مدل TIP122
نوع NPN Darlington Power Transistor
جریان 5 آمپر
جنس Silicon (Si)

نکات مهم استفاده از ترانزیستور TIP122 TRANSISTOR

  • به دلیل افت ولتاژ اشباع بالاتر (Vce(sat)) نسبت به ترانزیستورهای تکی، در طراحی مدار لحاظ شود
  • در جریان‌های بالا استفاده از هیت‌سینک (Thermal Management) الزامی است
  • برای بارهای القایی استفاده از دیود هرزگرد (Flyback Diode) توصیه می‌شود
  • حداکثر توان تلفاتی (Power Dissipation – Pd) در نظر گرفته شود

جمع‌بندی:
ترانزیستور TIP122 TRANSISTOR یک NPN Darlington Power Transistor قابل اعتماد برای کنترل و سوئیچینگ بارهای جریان بالا است که به دلیل بهره جریان زیاد، سادگی در راه‌اندازی و سازگاری با مدارهای کنترلی، انتخابی مناسب برای پروژه‌های صنعتی و آموزشی محسوب می‌شود.

خصوصیات نیمه هادی ها -دیود ترانزیستور IGBT ماسفت
نوع BJT-NPN
ولتاژ قابل تحمل 100V
حداکثر جریان 5A
توان 65W
PACKAGE TO-220

نظر بدهید

لطفا وارد شوید یا ثبت نام کنید تا نظر بدهید