منو
سبد شما

ترانزیستور 2SD965

ترانزیستور 2SD965 ترانزیستور BJT و UJT
ترانزیستور 2SD965
50,000ریال
10 یا بیشتر 40,500ریال
50 یا بیشتر 37,000ریال
  • موجودی: 51 و بیشتر در خرید عمده
  • MODEL: 2SD965 TRANSISTOR

ترانزیستور 2SD965

Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency power amplification
For stroboscope

 

 Features
l Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).
l Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-voltage power supply.

 

Max Collector-Emitter Voltage (VCE): 20V

Max Collector-Base Voltage (VCB): 40V

Max Emitter-Base Voltage (VEBO): 7V

Max Collector Dissipation (Pc): 750 miliWatt

Max Transition Frequency (fT): 100 MHz

Minimum & Maximum DC Current Gain (hFE): 230 – 600

 

خصوصیات نیمه هادی ها -دیود ترانزیستور IGBT ماسفت
نوع BJT-NPN
ولتاژ قابل تحمل 20V
حداکثر جریان 5A
توان 750mW
PACKAGE TO-92
خصوصیات عمومی
کاربری ساخت و تولید
کشور سازنده چین
بنچ مارک 4 از 5
استاندارد و تاییده ها ندارد
گارانتی و خدمات پس از فروش ندارد

نظر بدهید

لطفا وارد شوید یا ثبت نام کنید تا نظر بدهید