ترانزیستور 2SD965
50,000ریال
10 یا بیشتر 40,500ریال
50 یا بیشتر 37,000ریال
- موجودی: 51 و بیشتر در خرید عمده
- MODEL: 2SD965 TRANSISTOR
ترانزیستور 2SD965
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency power amplification
For stroboscope
Features
l Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).
l Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-voltage power supply.
Max Collector-Emitter Voltage (VCE): 20V
Max Collector-Base Voltage (VCB): 40V
Max Emitter-Base Voltage (VEBO): 7V
Max Collector Dissipation (Pc): 750 miliWatt
Max Transition Frequency (fT): 100 MHz
Minimum & Maximum DC Current Gain (hFE): 230 – 600
خصوصیات نیمه هادی ها -دیود ترانزیستور IGBT ماسفت | |
نوع | BJT-NPN |
ولتاژ قابل تحمل | 20V |
حداکثر جریان | 5A |
توان | 750mW |
PACKAGE | TO-92 |
خصوصیات عمومی | |
کاربری | ساخت و تولید |
کشور سازنده | چین |
بنچ مارک | 4 از 5 |
استاندارد و تاییده ها | ندارد |
گارانتی و خدمات پس از فروش | ندارد |