منو
سبد خرید

ترانزیستور 2SB564A

2SB564A ترانزیستور BJT
ترانزیستور 2SB564A
بر اساس 0 نظر - نظر بدهید
230,000ریال
50 یا بیشتر 214,000ریال
200 یا بیشتر 207,000ریال
  • موجودی: در انبار
  • MODEL: 2SB564A-DIP

گزینه های در دسترس

اضافه به سبد خرید
اکنون بخرید سوال
افزودن به لیست خرید بعدی مقایسه این محصول

ترانزیستور 2SB564A ساخت کره جنوبی

ترانزیستور بیس وسط

Silicon Pnp Epitaxia Transistor ; Audio Ferequncy Power Amplifier,Unijunction 25V, 1A, 800mW, 110MHz

خصوصیات نیمه هادی ها -دیود ترانزیستور IGBT ماسفت
نوع BJT-PNP
ولتاژ قابل تحمل 25V
حداکثر جریان 1A
توان 800mW
PACKAGE TO-92

نظر بدهید

لطفا وارد شوید یا ثبت نام کنید تا نظر بدهید
ترانزیستور ماسفت IRF1404 درجه دو
ترانزیستور ماسفت IRF1404 درجه دو
ترانزیستور ماسفت IRF1404 درجه دو | غیر اصلی و ارزان N-Channel Hexfet Power Mosfet ; Vdss: 55V, Rds(on): 5.3m ohm, Id: 169A,330 W ترانزیستور ما..
418,000ریال
اضافه به سبد خرید
افزودن به لیست خرید بعدی مقایسه این محصول
ترانزیستور BC556
ترانزیستور BC556
BC556 در مجموعه دیود ترانزیستور IGBT Silicon Pnp General Purpose Transistor ; Switching And Amplifiction, Unijunction 80V, 100mA, 500mW..
33,000ریال
اضافه به سبد خرید
افزودن به لیست خرید بعدی مقایسه این محصول
ترانزیستور BC639
ترانزیستور BC639
ترانزیستور BC639 ترانزیستور NPN از خانواده BJT  NPN-AF-80V,1A,0.8W,100MHz Silicon Npn AF Transistor ; Nf-Tr/E, 80V, 1A, 0.8W, 100MHz..
54,000ریال
اضافه به سبد خرید
افزودن به لیست خرید بعدی مقایسه این محصول
ترانزیستور ماسفت IRF540 درجه دو
ترانزیستور ماسفت IRF540 درجه دو
ترانزیستور ماسفت IRF540 درجه دو | غیر اصلی و ارزان (Metal Oxide N-Channel Fet, Enhancement Type ; V-Mos, 100V, 28A, 150W, 77m ohm(17A..
374,000ریال
اضافه به سبد خرید
افزودن به لیست خرید بعدی مقایسه این محصول
دیود 1N60
دیود 1N60
دیود ژرمانیوم 1N60 ویژگی اصلی دیودهای ژرمانیومی پایین بودن مقدار ولتاژ آنها در بایاس مستقیم میباشد..
42,000ریال
اضافه به سبد خرید
افزودن به لیست خرید بعدی مقایسه این محصول