ترانزیستور فت BS170

موجودی: 62 و بیشتر در خرید عمده<span data-toggle="tooltip" data-html="true" title="امکان ثبت سفارش تعدادبالا">
MODEL: BS170 DIP

N-LOGL,60V,0.5A,0.83W,5 ohm

Metal Oxide N-Channel Fet, Enhancement Type ; V-Mos, Logic Level, 60V, 0.5A, 0.83W

خصوصیات نیمه هادی ها -دیود ترانزیستور IGBT ماسفت
نوع	N-MOS
ولتاژ قابل تحمل	60V
حداکثر جریان	500mA
توان	350mW
PACKAGE	TO-92
مقاومت درین سورس	5 اهم در V(GS)=10V