JFET و MOSFET هر دو از ترانزیستورهای اثر میدانی هستند. این قطعات نیمه هادی با امپدانس ورودی بالا و امپدانس خروجی کم، جهت تقویت سیگنال ها و نیز سوئیچینگ به کار می‌روند. هر دوی آن ها ترانزیستورهای کنترل شده با ولتاژ هستند و از سه ترمینال گیت، درین و سورس تشکیل می‌شوند. ماسفت ها علاوه بر این سه پایه یک اتصال بدنه هم دارند.
ماسفت و جی فت امپدانس ورودی بالایی دارند ولی به دلیل وجود گیت عایق در ماسفت ها، امپدانس ورودی آن ها بسیار بیشتر از JFET هاست. به همین دلیل ماسفت ها به عنوان یک سوئیچ، عملکرد بهتری نسبت به JFET ها دارند. به علاوه سرعت عملیاتی آن ها نیز بالاتر بوده و جریان نشتی کمتری دارند. بالا بودن امپدانس ورودی ماسفت ها موجب می‌شود ماسفت مستعد انباشته شدن مقدار زیادی بار استاتیک باشد و نسبت بهJFET در معرض آسیب بیشتری قرار بگیرد.
از طرفی، مقاومت تخلیه JFET نسبت به MOSFET بیشتر است. این امر موجب می‌شود JFET ها خروجی صاف تری داشته باشند. جی فت ها برای کاربردهای کم نویز مناسب هستند. ماسفت ها عمدتا برای کاربردهای با نویز بالا مانند تقویت سیگنال های آنالوگ و دیجیتال استفاده می‌شوند. JFET ها قیمت ارزان تری نسبت به ماسفت ها دارند.
