برای مشاهده دقیقتر روی تصویر کلیک کنید
ترانزیستور BC546
Silicon Npn Epitaxial Planar Small Signal Transistor ; Unijunction 80V, 100mA, 500mW, 300MHz
| خصوصیات نیمه هادی ها -دیود ترانزیستور IGBT ماسفت | |
| نوع | BJT-NPN |
| حداکثر جریان | 100mA |
| توان | 500mW |
| PACKAGE | TO-92 |
ترانزیستور BC546
کالاهای مرتبط
CD4028BE
CD4028BE در مجموعه سری CMOS / 40XXCmos 4-Bit Bcd-to-Decimal Decoder;Vdd:5V to 15V ..
150,000ریال
ترانزیستور BD680
ترانزیستور BD680Silicon Pnp Complementary Epitaxial Base Transistors; Nf-L, 80V, 4A, 40W, B>..
37,000ریال
ترانزیستور ماسفت IRF540 درجه دو
ترانزیستور ماسفت IRF540 درجه دو | غیر اصلی و ارزان(Metal Oxide N-Channel Fet, Enhancement Type ; V..
87,000ریال
ترانزیستور 2N2219A
2N2219A در مجموعه دیود ترانزیستور IGBTSilicon Npn Epitaxial Planar Transistor ; High Speed Switche..
فروخته شده است
دیود 1N60
دیود ژرمانیوم 1N60ویژگی اصلی دیودهای ژرمانیومی پایین بودن مقدار ولتاژ آنها در بایاس مستقیم میباشد ..
6,100ریال
دیود زنر 2.4 ولت 1/2 وات
دیود زنر 2.4 ولت 1/2 واتدیودهای زنر در بایاس مستقیم مانند یک دیود معمولی باعث عبور جریان الکتریکی ..
3,600ریال
